8GB DDR3 RAM Samsung M471B1G73EB0-YK0 SO-DIMM - 2Rx8 PC3L-12800S-11-13-F3
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Speicher-Spezifikation PC3L-12800S-11-13-F3. JEDEC Norm PC3L-12800S. Speicher-Frequenz 1600 MHz. Modul-Einzelkapazität 8GB. Chip-Anordnung 2Rx8. Das Symbol der durchgekreuzten Mülltonne bedeutet, dass die Batterie nicht in den Hausmüll gegeben werden darf.
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Marke:Samsung
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Herstellernummer:M471B1G73EB0-YK0
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Busgeschwindigkeit:PC3-12800 (DDR3-1600)
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Speicherbandbreite:PC3-12800 (DDR3-1600)
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Anzahl der Module:1
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Kapazität pro Modul:8GB
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Gesamtkapazität:8GB
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Formfaktor:SO DIMM 204-pol.
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Produktart:DDR3 SDRAM
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Bustaktrate:1600 MHz
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Speicher-Spezifikation:PC3L-12800S-11-13-F3
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JEDEC Norm:PC3L-12800S
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Spannung:1.35V
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Chip-Anordnung:2Rx8
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Latenz (CL):CL11
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CAS-Latenz:CL11
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Unbuffered:JA
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