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FinFET/GAA-Modellierung für IC-Simulation und Design: Verwendung des BSIM-CMG-Standards von

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His research group is involved in developing compact models for GaN transistors, FinFET, nanosheet/gate-all-around FETs, FDSOI transistors, negative capacitance FETs and 2D FETs. He was the Chief Technology Officer of TSMC.

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