GaN-Transistormodellierung für HF- und Leistungselektronik: mit dem ASM-HEMT-Modell
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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-GaN-HEMT Model covers all aspects of characterization and modeling of GaN transistors for both RF and Power electronics applications.
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EAN:9780323998710
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UPC:9780323998710
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ISBN:9780323998710
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Format:Paperback, 260 pages
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Author:Chauhan, Yogesh Singh (Professor, Department of El
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Book Title:GaN Transistor Modeling for RF and Power Electroni
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Item Height:1.4 cm
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Item Length:22.9 cm
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Item Weight:0.43 kg
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Item Width:15.2 cm
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Language:Eng
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Publisher:Woodhead Publishing
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