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Memoria DDR ECC Samsung M312L3310DT0-CB0Q0 256MB PC2100 266MHz CL2.5 184-Pin

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256MB PC2100 266MHz CL2.5 184-Pin. Samsung M312L3310DT0-CB0Q0. In conseguenza di ciò, anche se. Data Transfer Rate.

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  • Marca:
    Samsung
  • MPN:
    M312L3310DT0-CB0Q0
  • Velocità bus:
    PC2100 (DDR-266)
  • Tipo:
    ECC DDR
  • Capacità totale:
    256MB
  • Numero di moduli:
    1
  • Fattore di forma:
    DIMM 184-pin
  • Economy Shipping:
    Postapriority Internazionale 5,00 EUR - Lieferung zwischen 19. June 2025 und 24. June 2025 (bei heutigem Zahlungseingang)
  • Versand nach:
    Europa
  • Versand ausgeschlossen:
    Belarus , Ukraine , Russische Föderation

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