Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs Rupendra Kumar Sh
Ø 0.0
0 Bewertungen
67,90 €
Titel: Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs, Einband: Taschenbuch, Autor: Rupendra Kumar Sharma, Verlag: SPS, Sprache: Englisch, Seiten: 156, Maße: 220x150x10 mm, Gewicht: 250 g, Verkäufer: buch-mimpf.
Jetzt bei Ebay:
-
Seiten:156
-
Gewicht:250
-
Einband:Taschenbuch
-
Marke:SPS
-
Fachbereich:Hardcover/Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik/Te...
-
Publikationstitel:Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs
-
Buchtitel:Modeling and Simulation of Gate Mislaignment Effect in MOSFETs
-
Untertitel:Keine Angabe
-
Film-/Fernseh-Titel:Keine Angabe
-
Musiktitel:Keine Angabe
-
Interpret:Keine Angabe
-
ISBN:9783639708028
-
Produktart:Lehrbuch
-
Format:Taschenbuch
-
Erscheinungsjahr:2015
-
Anzahl der Seiten:156 Seiten
-
Autor:Rupendra Kumar Sharma
-
Verlag:Sps
-
Publikationsname:Modeling And Simulation of Gate Mislaignment Effect in Mosfets
-
Sprache:Englisch
-
Standardversand:DHL Paket kostenlos - Lieferung zwischen 30. June 2025 und 03. July 2025 (bei heutigem Zahlungseingang)
-
Versand nach:Deutschland
-
Versand ausgeschlossen:Afrika , Asien , Mittelamerika und Karibik , Naher Osten , Nordamerika , Ozeanien , Südostasien , Südamerika , Albanien , Andorra , ... und weitere
