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The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling Wilfried Hä

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Titel: The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling, Einband: Taschenbuch, Autor: Wilfried Hänsch, Verlag: Springer Vienna, Springer Vienna, Sprache: Englisch, Seiten: 288, Maße: 244x170x16 mm, Gewicht: 502 g, Verkäufer: buch-mimpf, Schlagworte: Materialwissenschaft Halbleiterbauelement Ladungstransport Model Quantum Mechanics Semiconductor Stress Transport bridge energy mechanics metal oxide semiconductur field-effect transistor (MOSFET) modeling scattering semiconductor device surface.

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